參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2688-01
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： N-channel MOS-FET
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： 2SK2688-01
N-channel MOS-FET
30V
0,017
±50A
> Characteristics
2SK2688-01
FAP-IIS Series
60W
Typical Switching Characteristics
t
V
SD
[V]
→
This specification is subject to change without notice!
Power Dissipation
P
D
=f(T
C
)
0
25
50
75
100
125
0
0
0
0
0
0
0
T
C
[°C]
P
D
D
Maximum Avalanche Current vs. starting T
ch
I
AV
=f(starting T
ch
)
0
20
40
60
80
100
120
0
0
0
0
0
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2688-01S Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2689-01MR N-channel MOS-FET
2SK2690-01 N-channel MOS-FET
2SK2690 N-channel MOS-FET
2SK2691-01R N-channel MOS-FET
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參數(shù)描述
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2SK2691-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2698 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 15A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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