參數(shù)資料
型號： 2SJ247
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 47K
代理商： 2SJ247
2SJ247
4
–5
–4
–3
–2
–1
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
–5 A
–2 A
I = –10 A
D
0.05
–0.5
–5
Drain Current I (A)
S
R
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
–1
–2
–10 –20
–50
V = –4 V
–10 V
Pulse Test
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–40
0
40
80
120
Case Temperature Tc (°C)
S
S
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V = –10 V
Pulse Test
160
–10 A
–2,–5 A
–10 A
–5 A
–2 A
–4 V
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1
0.5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–5
–10
–2
Drain Current I (A)
F
f
Tc = –25°C
25°C
75°C
Pulse Test
V = –10 V
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PDF描述
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