參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ247
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SJ247
2SJ247
3
60
0
100
50
150
Power vs. Temperature Derating
C
Case Temperature Tc (°C)
40
20
–50
–30
–3
–1
–0.1
–1
–30 –100
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–10
–0.3
–0.05
–3
–10
–300 –1000
Ta = 25°C
10 s
1m
DCOpeaion
100 s
Operation in
this area
is limited
by R (on)
–20
–16
–12
–8
–4
0
–4
–8
–12
–16
–20
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
–10 V
–4.5 V
Pulse Test
–6 V
–4 V
–3.5 V
–3 V
–2.5 V
–10
–8
–6
–4
–2
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
Pulse Test
V = –10 V
25°C
–25°C
Tc = 75°C
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PDF描述
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