參數資料
型號： 2SJ217
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應晶體管
文件頁數： 5/9頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SJ217
2
5
–
–
R
D
2
1
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5
1
2
5
–
Reverse Recovery Time trr (ns)
B
R
d
μ
s
G
T
P
1
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–
D
D
Capacitance C (pF)
5
–
–
–
2
T
D
0
1
V
G
=
f
C
C
C
5
1
2
0
8
2
G
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
–
D
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1
1
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–
–
0
–
–
–
–
–
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
–
I
D
V
D
–
–
V
D
–
–
V
G
V
D
1
D
D
Switching Time t (ns)
5
5
1
1
2
–
2
S
t
d
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f
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r
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V
G
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μ
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V
D
=.
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2SJ219S Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ220 Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 543-0519-0 01; No. of Positions: 8; Connector Type: Board mounting; Contact Gender: Male; Contact Spacing (mm): 2; Terminal Pitch (mm): 2; Stack Height (mm): 7.55,7.80; PCB Mount Type: Through-hole; Current Rating(Amps)(Max.): 2; Contact Mating Area Plating: Gold; Operating Temperature Range (degrees C): -30 to 85; General Description: Header; Straight; Changed Finish
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