參數(shù)資料
型號： 2SJ217
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SJ217
2SJ217
3
150
100
50
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
–200
–50
–10
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–100
–20
–5
–1
Ta = 25°C
10
μ
s
100
μ
s
PW=10ms(1sho)
DCOpeaion(T
C
=25C
Opi imtedb R
DS(on
–2
–2
–5
–10 –20
–50 –100
–100
–8
–20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Output Characteristics
–80
–20
–4
–12
–16
0
–40
–60
D
D
Pulse Test
–5 V
–4 V
V
GS
= –2 V
–10 V
–6 V
–3 V
–50
–2
–5
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Forward Transfer Characteristics
–40
–10
–1
–3
–4
0
–20
–30
T
C
= –25°C
25°C
75°C
V
DS
= –10 V
Pulse Test
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PDF描述
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2SJ220 Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 543-0519-0 01; No. of Positions: 8; Connector Type: Board mounting; Contact Gender: Male; Contact Spacing (mm): 2; Terminal Pitch (mm): 2; Stack Height (mm): 7.55,7.80; PCB Mount Type: Through-hole; Current Rating(Amps)(Max.): 2; Contact Mating Area Plating: Gold; Operating Temperature Range (degrees C): -30 to 85; General Description: Header; Straight; Changed Finish
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