參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ217
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 49K
代理商： 2SJ217
2SJ217
Silicon P-Channel MOS FET
November 1996
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device
Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
Outline
D
G
S
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
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PDF描述
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2SJ220 Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 543-0519-0 01; No. of Positions: 8; Connector Type: Board mounting; Contact Gender: Male; Contact Spacing (mm): 2; Terminal Pitch (mm): 2; Stack Height (mm): 7.55,7.80; PCB Mount Type: Through-hole; Current Rating(Amps)(Max.): 2; Contact Mating Area Plating: Gold; Operating Temperature Range (degrees C): -30 to 85; General Description: Header; Straight; Changed Finish
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