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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD0946B |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | For Low-Frequency Amplification |
| 中文描述： | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SD0946B |
2SC5001
Transistors
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
10
Ta
=
25
40mA
45mA
50mA
2
25
°
C
40
C
Rev.A
2/2
C
C
COLLECTOR TO VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
0
2
4
6
8
1
2
I
B
=
0mA
5mA
10mA
15mA
20mA
25mA
30mA
35mA
C
C
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE(on)
(V)
Fig.2 Ground emitter propagation
characteristics
1.4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
0
1m
2m
5m
10m
20m
50m
100m
200m
500m
1
5
10
V
CE
=
2V
Ta
=
125
°
C
20m
1
2
5
10
20
50m
100m 200m 500m
D
E
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
Fig.3 DC current gain vs. collector current
V
CE
=
5V
2V
1V
Ta
=25
°
C
C
C
10m 20m
50m
100m 200m
500m
1
2
5
10 20
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
1
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
I
C
/I
B
=
80
20
50
Ta
=25
°
C
10m
100m
1
10
T
T
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
1
5
2
10
20
50
100
200
500
1000
Fig.5
Gain bandwidth product
vs. emitter current
V
CE
=
5V
Ta
°
C
f
=
525
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
50
20
10
100
200
500
1000
2000
5000
10000
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
I
E
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
0.01 0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
100
C
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
500m
200m
100m
50m
20m
10m
1
2
5
10
20
50
100
Fig.7 Safe operating area
Ta
=
25
°
C
DC
P
=
1m
Pw
=
10m
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PDF描述 |
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