參數(shù)資料
型號： 2SC518383R
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/21頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： 2SC518383R
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
3.0 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
20.0
mA
1.10
1.19
1.25
1.36
1.50
17.66
14.48
12.93
9.61
7.52
0.47
0.39
0.34
0.29
0.24
15
33
45
57
73
0.28
1.20
0.28
0.27
0.27
1.10
1.19
1.25
1.36
1.50
18.60
15.10
13.40
10.30
8.10
0.40
0.35
0.31
0.26
0.23
12
24
33
44
58
0.30
0.22
0.26
0.28
0.28
500
800
1000
1500
2000
2500
2.00
2.06
2.10
2.20
2.34
2.46
20.30
16.70
15.00
11.90
9.80
6.70
0.02
0.06
0.08
0.12
0.14
0.18
-170
171
172
178
-175
-160
0.23
0.15
0.28
0.24
0.24
0.23
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
5
V
CEO
V
EBO
I
C
T
J
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Operating Junction
Temperature
V
V
3
2
30
mA
°
C
150
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +150
NE687 SERIES
NE68730
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(TA = 25
C)
NE68739
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
V
CE =
0.5
V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
1.23
1.37
1.45
15.7
10.9
8.7
0.77
0.71
0.60
36
46
64
0.61
0.61
0.50
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
3.0
mA
1.07
1.13
1.18
1.30
1.50
1.66
18.0
14.8
13.2
10.5
8.0
7.0
0.48
0.39
0.32
0.23
0.12
0.16
30
49
60
76
120
-172
0.31
0.28
0.26
0.24
0.20
0.15
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2.0
V
,
I
C =
20.0
mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.07
1.13
1.18
1.30
1.50
1.66
1.86
18.6
15.5
14.0
11.2
9.3
7.8
6.6
0.46
0.37
0.32
0.20
0.12
0.14
0.23
26
38
46
66
113
177
-157
0.28
0.28
0.26
0.25
0.19
0.17
0.10
1.93
1.95
2.00
2.15
2.30
2.40
2.52
21.2
17.6
16.0
12.9
10.6
9.0
7.7
0.08
0.14
0.16
0.21
0.26
0.31
0.46
-150
-138
-134
-127
-123
-121
-114
0.22
0.17
0.17
0.24
0.25
0.25
0.24
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
V
CE =
0.5
V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0 V
,
I
C =
1.0 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3 mA
1.10
1.31
1.41
13.07
11.23
9.36
0.72
0.67
0.65
30
54
67
1.00
0.65
0.55
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68718
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
0.93
1.08
1.20
1.48
1.72
16.53
13.44
12.21
8.53
6.50
0.63
0.59
0.55
0.46
0.37
27
47
62
83
107
0.56
0.39
0.36
0.34
0.28
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
V
CE =
2
V
,
I
C =
3 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.10
1.15
1.20
1.38
1.60
1.82
2.00
18.68
15.74
13.90
10.63
8.43
7.04
5.84
0.48
0.40
0.36
0.28
0.21
0.14
0.16
23
48
58
81
104
151
-167
0.28
0.25
0.24
0.21
0.20
0.18
0.13
V
CE =
2
V
,
I
C =
10 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.10
1.15
1.20
1.38
1.60
1.82
2.00
19.83
16.61
14.85
11.83
9.49
8.16
6.93
0.50
0.42
0.38
0.29
0.23
0.14
0.13
21
39
48
74
91
135
177
0.26
0.26
0.25
0.24
0.22
0.20
0.12
1.60
1.62
1.65
1.73
1.80
2.00
2.19
22.57
18.75
16.91
13.52
11.17
9.48
8.18
0.13
0.11
0.09
0.07
0.06
0.08
0.13
19
48
67
100
143
-161
-133
0.27
0.26
0.25
0.24
0.22
0.20
0.16
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PDF描述
2SC5183 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
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2SC5183T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-143R
2SC5183-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
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