- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369121 > 2SC5010-T1 (NEC Corp.) 128 x 128 pixel format, LED or EL Backlight available PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5010-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128 x 128 pixel format, LED or EL Backlight available |
| 中文描述： | NPN硅外延晶體管3引腳超超級(jí)迷你模具 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SC5010-T1 |
2SC5010
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
30
20
10
0
2
4
6
8
14
12
10
8
6
1
2
5
10
20
50
I
B
= 200 A
180 A
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
4
2
0
0.5
1
2
I
C
– Collector Current – mA
5
10
50
20
12
8
4
0
60 A
40 A
20 A
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
50
40
30
20
10
0
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
150
100
50
0
50
100
150
Free Air
500
200
100
50
20
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 3 V
10
1
0.5
P
T
T
A
– Ambient Temperature – C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
h
F
f
T
|
2
e
2
I
C
V
BE
– Base to Emitter Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5011 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5011-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5011-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5012-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5012-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5010-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,6V,30mA,US-MiniMold3 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT |
| 2SC5010-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5011 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5011(NE85618) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| 2SC5011-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。