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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1412L-TN3-B-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓開關(guān)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 2SB1412L-TN3-B-R |
2SB1412
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R209-021,A
3 of 5
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
Grounded Emitter Propagation
0
-0.2
Base to Emitter Voltage:V
BE
(V)
-2
-1
Characteristics
C
-1m-2m-5m
-0.01-0.02
200
100
20
10
Collector Current : Ic(A)
DC Current Gain vs.Collector Current (I)
D
h
F
-0.4 -0.6 -0.8
-1.4
-1.2
-1.0
-1m
-5m
0
-5
0
Collector to Emitter Voltage:V
CE
(V)
Grounded Emitter Output
Characteristics
C
-1
-0.4
-0.8
-1.6
-2.0
-1.2
-2
-3
-4
I
B
=0mA
Ta=25
-10mA
-5mA
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
Collector-emitter Saturation Voltage
vs.Collector Current (I)
C
C
(
S
)
-10m
-30mA
-45mA
-50mA
-15mA
-20mA
-25mA
5
-2
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current : Ic(A)
-1
-2
-20m
-50m
-100m
-200m
-500m
-5
-10
V
CE
= -2V
Ta=25
Ta=100
Ta= -25
-40mA
-35mA
-5 -10
50
1k
2k
Vc
E
= -5V
Vc
E
= -2V
Vc
E
= -1V
Ta=25
-1m-2m-5m
-0.01-0.02
200
100
20
10
Collector Current : Ic(A)
DC Current Gain vs.Collector
Current(II)
D
h
F
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
5
-2 -5 -10
50
1k
2k
Vc
E
= -1V
Ta=100
-1m-2m-5m
-0.01-0.02
200
100
20
10
Collector Current : Ic(A)
DC Current Gain vs.Collector Current (III)
D
h
F
-0.05 -0.1-0.2
-0.5-1
500
5k
5
-2 -5 -10
50
1k
2k
Vc
E
= -2V
Ta=25
Ta=25
Ta= -25
Ta=100
Ta= -25
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=25
Ic/I
B
=50/1
40/1
30/1
10/1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1412L-TN3-E-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412L-TN3-F-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412-TN3-B-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412-TN3-C-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412-TN3-E-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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