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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1412L-TN3-B-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓開關晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 2SB1412L-TN3-B-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1412
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R209-021,A
HIGH V OLT AGE S WIT CHING
T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEAT URES
*Excellent DC current gain characteristics
*Low V
CE(SAT)
V
CE(SAT)
= -0.35V (Typ)
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
1
TO-252
*Pb-free plating product number:2SB1412L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1412L-TN3-F-R
Package
3
E
Packing
2SB1412-TN3-F-R
TO-252
Tape Reel
2SB1412L-TN3-F-R
(1)Packing Type
(2)Pin Assignment
(3)Package Type
(4)Lead Plating
(1) R: Tape Reel
(2) refer to Pin Assignment
(3) TN3: TO-252
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1412L-TN3-E-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412L-TN3-F-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412-TN3-B-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412-TN3-C-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412-TN3-E-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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