參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1412-TN3-C-R
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述: 高壓開關(guān)晶體管
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 109K
代理商: 2SB1412-TN3-C-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1412
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
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QW-R209-021,A
HIGH V OLT AGE S WIT CHING
T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEAT URES
*Excellent DC current gain characteristics
*Low V
CE(SAT)
V
CE(SAT)
= -0.35V (Typ)
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
1
TO-252
*Pb-free plating product number:2SB1412L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1412L-TN3-F-R
Package
3
E
Packing
2SB1412-TN3-F-R
TO-252
Tape Reel
2SB1412L-TN3-F-R
(1)Packing Type
(2)Pin Assignment
(3)Package Type
(4)Lead Plating
(1) R: Tape Reel
(2) refer to Pin Assignment
(3) TN3: TO-252
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB14140RA 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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