參數(shù)資料
型號: 2SB1409L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial
中文描述: 硅外延進(jìn)步黨
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: 2SB1409L
2SB1409(L)/(S)
4
–0.01
–0.1
–1.0
–10
Collector current I
C
(A)
–0.001
–0.01
–0.1
–1.0
C
V
C
Saturation Voltage vs. Collector Current
l
= 10 l
B
Ta
= 25
°
C
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
Collector current I
C
(A)
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
–3.0
B
V
B
Saturation Voltage vs. Collector Current
l
= 10 l
B
Ta
= 25
°
C
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Typical Transfer Characteristics
V
= –5 V
Ta = 25
°
C
10
–0.01
30
100
300
1,000
Collector current I
C
(A)
G
T
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V
CE
= –5 V
Ta = 25
°
C
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PDF描述
2SB1409S Silicon PNP Epitaxial
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2