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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1409L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB1409L |
2SB1409(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
1
Tj
–180
V
Collector to emitter voltage
–160
V
Emitter to base voltage
–5
V
Collector current
–1.5
A
Collector peak current
–3
A
Collector power dissipation
18
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–180
—
—
V
I
C
= –1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–160
—
—
V
I
C
= –10 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
—
—
V
I
E
= –1 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –160 V, I
E
= 0
V
CE
= –5 V, I
C
= –150 mA*
2
V
CE
= –5 V, I
C
= –500 mA*
2
I
C
= –500 mA, I
B
= –50 mA
DC current transfer ratio
60
—
200
30
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–1
V
Base to emitter voltage
V
BE
f
T
Cob
—
—
–1.5
V
V
CE
= –5 V, I
C
= –150 mA
V
CE
= –5 V, I
C
= –150 mA
V
CB
= –10 A, I
E
= 0, f = 1 MHz
Gain bandwidth product
—
240
—
MHz
Collector output capacitance
Notes: 1. The 2SB1409(L)/(S) is grouped by h
FE1
as follows.
—
25
—
pF
B
C
60 to 120
100 to 200
2. Pulse test.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1409S | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1412L-TN3-C-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412L-TN3-B-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412L-TN3-E-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1412L-TN3-F-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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