參數(shù)資料
型號： 2SB1392
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重擴散硅進步黨
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 32K
代理商： 2SB1392
2SB1392
3
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
–1
–2
–3
–4
–5
–2
–4
–6
–8
–10
I
B
= 0
T
C
= 25
°
C
–10 mA
–20
–30
–40
–50
–70
–80
–60
–0
10
30
100
300
1,000
Collector current I
C
(A)
D
F
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
T
C
= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
V
CE
= –4 V
–0.01
–0.1
–0.3
–1.0
–0.03
Collector current I
C
(A)
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
C
V
C
Saturation Voltage vs. Collector Current
l
C
/l
B
= 10
T
C
= 25
°
C
25
°
C
–25
°
C
10
3
1.0
0.3
0.11m
10m
100m
1.0
10
100
1000
T
C
= 25
°
C
T
j
°
C
Transient Thermal Resistance
相關PDF資料
PDF描述
2SB1392 Power Bipolar Transistors
2SB1399 Silicon PNP Triple Diffused
2SB1400 Silicon PNP Epitaxial
2SB1407 Silicon PNP Epitaxial
2SB1407L Silicon PNP Epitaxial
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參數(shù)描述
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