參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1392
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SB1392
2SB1392
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
1. Base
2. Collector
3. Emitter
TO-220FM
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
–70
V
Collector to emitter voltage
–60
V
Emitter to base voltage
–5
V
Collector current
–4
A
Collector peak current
–8
A
Collector power dissipation
2
W
25
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SB1399 Silicon PNP Triple Diffused
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參數(shù)描述
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2SB13980PA 功能描述:TRANS PNP LF AMP 25VCEO MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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