參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1392
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SB1392
2SB1392
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–70
—
—
V
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–60
—
—
V
I
C
= –50 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
—
—
V
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE1
*
2
h
FE2
V
BE
V
CE(sat)
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –50 V, I
E
= 0
V
CE
= –50 V, R
BE
=
∞
V
CE
= –4 V, I
C
= –1 A*
1
V
CE
= –4 V, I
C
= –0.1 A*
1
V
CE
= –4 V, I
C
= –1 A*
1
I
C
= –2.0 A, I
B
= –0.2 A*
1
—
—
–10
DC current transfer ratio
60
—
200
35
—
—
Base to emitter voltage
—
—
–1.0
V
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–1.0
V
Base to emitter saturation
voltage
Notes: 1. Pulse test.
2. The 2SB1392 is grouped by h
FE1
as follows.
V
BE(sat)
—
—
–1.2
V
I
C
= –2.0 A, I
B
= –0.2 A*
1
B
C
60 to 120
100 to 200
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(
°
C)
C
10
30
20
Maximum Collector Dissipation Curve
–0.01
–0.02
–0.05
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
–3
–10
–30
–100
–300
Area of Safe Operation
i
C
(peak)
I
C
(max)
Ta = 25
°
C
1 Shot pulse
D
Oetn
(
C
=5
°
C
P 1m
1s
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PDF描述
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