參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1389
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SB1389
2SB1389
3
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(
°
C)
C
10
30
20
Maximum Collector Dissipation Curve
–0.02
–0.05
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
–10
–20
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
–3
–10
–30
–100
–300
Area of Safe Operation
Ta = 25
°
C
1 Shot pulse
i
C
(peak)
I
C
(max)
1
μ
s
10
μ
1m
PW=
1 m
DC
Oeao
(
C
=2
°
C
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
–1
–2
–3
–4
–5
–1
–2
–3
–4
–5
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
–0.4 mA
–0.6
–0.8
–2.0
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
100
300
1,000
3,000
10,000
Collector current I
C
(A)
D
F
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
CE
= –3 V
T
C
=75
°
C
25
°
C
–25
°
C
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PDF描述
2SB1390 Silicon PNP Triple Diffused
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參數(shù)描述
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