參數(shù)資料
型號： 2N5401T1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 216K
代理商： 2N5401T1
2N5401HR
Package mechanical data
Doc ID 16934 Rev 1
5/8
0041211J
Ceramic Leadless Chip Carrier 3 mechanical data
DIM.
mm.
MIN.
TYP
MAX.
A1.16
1.42
C
0.45
0.50
0.56
D0.76
E1
F1.902.15
G2.90
3.25
I2.40
2.74
J
0.40
0.57
0.80
K1.351.52
1.75
L0.50
M2.40
2.65
N1.90
R0.30
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N5401TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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