- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33267 > 2N5401T1 (STMICROELECTRONICS) 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N5401T1 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | 2N5401T1 |
Electrical ratings
2N5401HR
2/8
Doc ID 16934 Rev 1
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
-160
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
-150
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
-5
V
IC
Collector current
for 2N5401HR
for SOC5401HRB
-0.6
-0.5
A
PTOT
Total dissipation at Tamb ≤ 25 °C
for 2N5401HR
for SOC5401HRB
for SOC5401HRB (1)
Total dissipation at Tc ≤ 25 °C
for 2N5401HR
1.
When mounted on a 8x10x0.6 mm ceramic substrate.
0.36
0.58
1.2
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 200
°C
TJ
Max. operating junction temperature
200
°C
Table 3.
Thermal data for through-hole package
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
RthJA
Thermal resistance junction-case
__
max
Thermal resistance junction-ambient
__
max
146
486
°C/W
Table 4.
Thermal data for SMD package
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJA
Thermal resistance junction-ambient
__
max
Thermal resistance junction-ambient (1) __
max
1.
When mounted on a 8x10x0.6 mm ceramic substrate.
486
302
°C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5401UB06 | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401UB07 | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401 | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3019 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2369 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TAR_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。