參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5401T1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： 2N5401T1
2N5401HR
Electrical characteristics
Doc ID 16934 Rev 1
3/8
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
Table 5.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector-base cut-off
current (IE = 0)
VCB = -120 V
TC = 150 °C
-50
nA
A
IEBO
Emitter-base cut-off
current (IC = 0)
VEB = -3 V
-50
nA
V(BR)CBO
Collector-base
breakdown voltage
(IE = 0)
IC = -100 A
-160
V
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 2 %
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = -1 mA
-150
V
V(BR)EBO
Emitter-base
breakdown voltage
(IC = 0)
IE = -10 A
-5
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = -10 mA
IB = -1 mA
IC = -50 mA
IB = -5 mA
-0.2
-0.5
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter
saturation voltage
IC = -10 mA
IB = -1 mA
IC = -50 mA
IB = -5 mA
-1
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = -1 mA
VCE = -5 V
IC = -10 mA
VCE = -5 V
IC = -50 mA
VCE = -5 V
IC = -10 mA
VCE = -5 V
Tamb = -55 °C
50
60
20
240
hfe
Small signal current
gain
VCE = -10 V
IC = -10 mA
f = 10 kHz
5
Cobo
Output capacitance
(IE = 0)
VCB = -10 V
f = 1 MHz
6
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2N5401TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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