參數(shù)資料
型號： XSD56120
廠商： 意法半導體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
中文描述： RF功率晶體管射頻功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 43K
代理商： XSD56120
ELECTRICAL SPECIFICATION
(T
case
= 25
o
C)
STATIC
(Per Section)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(Q)
V
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V I
DS
= 10 mA
V
GS
= 0V V
DS
= 28 V
V
GS
= 20V V
DS
= 0 V
V
DS
= 28V I
D
= 100 mA
V
GS
= 10V I
D
= 3 A
V
DS
= 10V I
D
= 3 A
V
GS
= 0V V
DS
= 28 V f = 1 MHz
V
GS
= 0V V
DS
= 28 V f = 1 MHz
V
GS
= 0V V
DS
= 28 V f = 1 MHz
65
V
μ
A
μ
A
V
1
1
3.0
5.0
0.7
0.8
V
3
mho
88
pF
44
pF
1.7
pF
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
P
OUT
G
PS
η
D
IMD
V
DD
= 28V f = 860 MHz I
DQ
=
400 mA
V
DD
= 28 V P
out
= 100W PEP I
DQ
= 400 mA
100
W
13
dB
V
DD
= 28 V P
out
= 100W PEP I
DQ
= 400 mA
V
DD
= 28 V P
out
= 100W PEP I
DQ
= 400 mA
f = 860 MHz V
DD
= 28 V P
out
= 100W PEP
I
DQ
= 400 mA ALL PHASE ANGLES
Note : f
1
= 860 MHz
f
2
= 860.1 MHz
30
36
%
31
dB
Load
Mismatch
5:1
VSWR
SD56120
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XSD57030-01 RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
XSD57120 RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
XSDT306TK THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|1.5KV V(DRM)|DO-200VAR142
XSDT306TM THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|1.6KV V(DRM)|DO-200VAR142
XSDT306TS THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|1.9KV V(DRM)|DO-200VAR142
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XSD57030-01 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
XSD57120 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY
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