參數(shù)資料
型號(hào)： XP161A01A8PR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： N-Channel Power MOS FET
中文描述： N溝道功率MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： XP161A01A8PR
853
11
C
Drain-Source Voltage:Vds (V)
CAPACITANCE vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Vgs=0V, f=1MHz
S
Drain Current:Id (A)
SWITCHING TIME vs. DRAIN CURRENT
Vgs=5V, Vdd
10V, PW=10
μ
sec. duty
≤
1%
G
Gate Charge:Qg (nc)
GATE-SOURCE VOLTAGE vs. GATE CHARGE
Vds=10V, Id=3A
R
Source-Drain Voltage:Vsd (V)
REVERSE DRAIN CURRENT
vs. SOURCE-DRAIN VOLTAGE
Pulse Test
Pulse Width:PW (sec)
STANDARDIZED TRANSITION THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
Rth (ch-a)=62.5C/W, (Implemented on a ceramic PCB)
Single Pulse
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PDF描述
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