參數(shù)資料
型號: XP05531
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planer transistor
中文描述: 2 CHANNEL, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SMINI6-G1, 6 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 32K
代理商: XP05531
2
Composite Transistors
XP05531
P
T
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
40
80
120
160
200
180
140
100
60
20
0
20
40
80
60
140
120
100
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
20
60
40
80
C
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta=25C
400
μ
A
300
μ
A
200
μ
A
100
μ
A
I
B
=500
μ
A
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
60
50
40
30
20
10
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=4V
Ta=75C
–25C
25C
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
360
300
240
180
120
60
1
3
10
30
100
F
F
V
CE
=4V
Ta=75C
25C
–25C
0
1.0
2.0
3.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
–1
–3
–10
–30
–100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=4V
Ta=25C
0
1
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XP05554 Silicon NPN epitaxial planer transistor
XP06435 Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification
XP1110 Silicon PNP epitaxial planer transistor
XP1111 Silicon PNP epitaxial planer transistor
XP1112 Silicon PNP epitaxial planer transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XP0553100L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XP05534 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ
XP05553(XP5553) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ
XP0555300L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402