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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN1872 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | XN1872 |
XN01871
2
SJJ00034BED
g
m
V
GS
g
m
I
D
C
iss
, C
oss
V
DS
P
T
T
a
I
D
V
DS
I
D
V
GS
C
rss
V
DS
NF
f
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
2
6
4
8
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
T
a
=
25
°
C
0.4 V
0.3 V
0.2 V
0.1 V
V
GS
=
0 V
0
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Gate-source voltage V
GS
(V)
9.6
8.0
6.4
4.8
3.2
1.6
D
D
V
DS
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
–25
°
C
0
0.8
4
8
12
16
20
0.6
0.4
0.2
0
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
Gate-source voltage V
GS
(V)
M
m
I
DSS
=
5.0 mA
2.0 mA
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
Drain current I
D
(mA)
M
m
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
I
DSS
=
5.0 mA
2.0 mA
0
1
10
8
6
4
2
10
100
V
GS
=
3 V
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Drain-source voltage V
DS
(V)
Ciss
Coss
S
i
S
o
0
1
5
4
3
2
1
10
100
Drain-source voltage V
DS
(V)
R
r
V
GS
=
3 V
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
0
10
10
2
Frequency f (Hz)
10
3
10
4
12
10
8
6
4
2
10
5
V
DS
=
10 V
I
D
=
5.2 mA
T
a
=
25
°
C
R
g
=
500
1 k
N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN01871(XN1871) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN01872(XN1872) | XN01872 (XN1872) - N-Channel Enhancement MOS FET Composite Transistors |
| XN02501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN2501 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN02501(XN2501) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN1A311 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Composite Transistors |
| XN1A312 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN-1AO-I | 制造商:Moeller Electric Corporation 功能描述:1 ANALOG OUTPUT PLUG-IN MODULE 0-20MA OR 4-20MA |
| XN1B301 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| XN1C301 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor |
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