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參數(shù)資料
| 型號： | XN04608 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | XN04608 |
2
Composite Transistors
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
G
Tr1
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
B
= 0
60
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CBO
I
CEO
7
V
Collector cutoff current
0.1
μ
A
μ
A
100
Forward current transfer ratio
h
FE
V
CE(sat)
f
T
V
CE
= 10V, I
C
= 2mA
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
160
460
Collector to emitter saturation voltage
0.1
0.3
V
Transition frequency
150
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
3.5
pF
XN04608
G
Tr2
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
–15
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= –10V, I
E
= 0
–10
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector cutoff current
– 0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
V
CE
= –2V, I
C
= –0.5A*
V
CE
= –2V, I
C
= –1A*
I
C
= –0.4A, I
B
= –8mA
100
350
60
Collector to emitter saturation voltage
– 0.16
– 0.3
V
Base to emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
C
ob
I
C
= –0.4A, I
B
= –8mA
– 0.8
–1.2
V
Transition frequency
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
130
MHz
Collector output capacitance
22
pF
* Pulse measurement
Common characteristics chart
P
T
— Ta
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN05531 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN5531 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN0A312 | Silicon NPN epitaxial planar type(Tr1) |
| XN0C301 | Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1) |
| XN0F256 | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN04608(XN4608) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0460800L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-6P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| XN04609 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN04609(XN4609) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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