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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN04509 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Ultraframer DS3/E3/DS2/E2/DS1/E1/DS0 |
| 中文描述： | 50 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | XN04509 |
2
Composite Transistors
XN4509
0
0
160
40
120
80
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25C
I
B
=300
μ
A
100
μ
A
150
μ
A
200
μ
A
250
μ
A
50
μ
A
0
60
50
40
30
20
10
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
1.2
0.2
1.0
0.4
0.8
0.6
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
0.01
0.03
1
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
30
100
300
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
600
500
400
300
200
100
1
3
10
30
100
F
F
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
0.1
0.3
Emitter current I
E
(mA)
1
3
10
30
100
T
T
0
600
500
400
300
200
100
V
CB
=10V
Ta=25C
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
P
T
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN4509 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN04601 | Silicon PNP epitaxial planer transistor For general amplification |
| XN04608 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN05531 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN5531 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN04509(XN4509) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN04556 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 100V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SC-74 |
| XN04556(XN4556) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors |
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