參數(shù)資料
型號(hào)： XN01211
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI5-G1, SC-74A, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： XN01211
1
Composite Transistors
XN01211
(XN1211)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For switching/digital circuits
I
Features
G
Two elements incorporated into one package.
(Emitter-coupled transistors with built-in resistor)
G
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
I
Basic Part Number of Element
G
UNR1211(UN1211)
×
2 elements
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
1 : Collector (Tr1)
2 : Collector (Tr2)
3 : Base (Tr2)
4 : Emitter
5 : Base (Tr1)
EIAJ : SC–74A
Mini5-G1 Pakage
Unit: mm
Marking Symbol:
9T
Internal Connection
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
100
mA
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
–55 to +150
C
Rating
of
element
Overall
2.90
±0.1
(0.1.9
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
+
–
0.30
+0.10
5
4
3
1
2
+0.20
5
10
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
CE
= 50V, I
B
= 0
V
EB
= 6V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
I
C
= 10mA, I
B
= 0.3mA
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V, R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V, R
L
= 1k
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector cutoff current
0.1
μ
A
μ
A
0.5
Emitter cutoff current
0.5
mA
Forward current transfer ratio
35
Forward current transfer h
FE
ratio
h
FE
(small/large)
*1
V
CE(sat)
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
0.5
0.99
Collector to emitter saturation voltage
0.25
V
Output voltage high level
4.9
V
Output voltage low level
0.2
V
Transition frequency
150
MHz
Input resistance
–30%
10
+30%
k
Resistance ratio
0.8
1.0
1.2
*1
Ratio between 2 elements
5
1
Tr2
Tr1
4
3
2
Note) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN01401 Silicon PNP epitaxial planer transistor
XN1401 Silicon PNP epitaxial planer transistor
XN01558 Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency amplification
XN04110 Silicon PNP epitaxial planar type
XN4110 Silicon PNP epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN01211(XN1211) 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
XN0121100L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES MINI5P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
XN01212 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type For switching/digital circuits
XN01212(XN1212) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*