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參數(shù)資料
| 型號： | VQ1006P |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓90V的，夾斷電流0.4A的N溝道增強型MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | VQ1006P |
VN0808L/LS, VQ1006P
Vishay Siliconix
Document Number: 70214
S-58620—Rev.C , 21-Jun-99
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
–
I
–
I
–
r
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
(
1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
T
J
= 25 C
V
GS
= 10 V
0.5
0.4
0.3
0
0
2
10
0.2
0.1
4
6
8
125 C
T
J
= –55 C
10
8
6
0
0
0.5
2.5
4
2
1.0
1.5
2.0
T
J
= 25 C
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
2.0 V
1.8 V
T
J
= 25 C
V
GS
= 3 V
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
7
0
4
8
12
16
20
6
5
4
0
3
2
1
0.5 A
1.0 A
25 C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 15 V
I
D
= 0.1 A
r
)
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VQ1006P | N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs |
| VQ2000J | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
| VQ2000P | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP |
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| VQ2006J | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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