參數資料
型號： VP2410L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-240V，夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
中文描述： P通道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓，240伏，夾斷電流，0.18A的P溝道增強型MOSFET的晶體管）
文件頁數： 4/4頁
文件大小： 61K
代理商： VP2410L
VP2410L
4
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted) (Cont’d)
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
N
T
1
1
0.1
10 K
0.01
0
–12
–10
–1
–0.01
–10
0.1
1
100
150
125
0
10
100
0
–1000
–1.2
0
–50
500
–3.6
–10
0
–100
–10
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
125 C
–55 C
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
D
C
–
V
G
t
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
T
J
= 150 C
25 C
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
–0.1
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–3.2
–192 V
V
DS
= –120 V
I
D
= –100 mA
–8
–6
–4
–2
200
300
400
V
DD
= –25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to –10 V
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
0.01
100
75
50
25
–20
–30
–40
10
100
1 K
相關PDF資料
PDF描述
VP2450 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-500V,30Ω，P溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
VP2450 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP2450N3 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP2450N8 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP2450ND P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關代理商/技術參數
參數描述
VP24382TV25 制造商:Panduit Corp 功能描述:Voice-Patch One Pair Patch Panel
VP24382TV25Y 功能描述:以太網和電信連接器 Voice Patch Panel RJ45-RJ2 RoHS:否 制造商:Pulse 產品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數量: 安裝風格:Through Hole 端口數量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級:
VP2450 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP2450N3 功能描述:MOSFET 500V 30Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP2450N3-G 功能描述:MOSFET 500V 30Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*