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參數(shù)資料
| 型號： | VNP10N06FI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | “OMNIFET ”：Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率ＭＯＳＦＥＴ) |
| 中文描述： | “OMNIFET”：充分Autoprotected功率MOSFET（全自動保護功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | VNP10N06FI |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
oss
Output Capacitance
V
DS
= 13 V
f = 1 MHz
V
in
= 0
350
500
pF
SWITCHING (**)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 16 V
V
gen
= 7 V
(see figure 3)
I
d
= 1 A
R
gen
= 10
1100
550
200
100
1600
900
400
200
ns
ns
ns
ns
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
(di/dt)
on
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 16 V
V
gen
= 7 V
(see figure 3)
I
d
= 1 A
R
gen
= 1000
1.2
1
1.6
1.2
1.8
1.5
2.3
1.8
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
V
DD
= 16 V
V
in
= 7 V
V
DD
= 12 V
I
D
= 1 A
R
gen
= 10
I
D
= 1 A
1.5
Q
i
Total Input Charge
V
in
= 7 V
13
nC
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
V
SD
(
)
t
rr
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward On Voltage
I
SD
= 1 A
V
in
= V
IL
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 25
o
C
0.8
1.6
V
Q
rr
(
)
I
RRM
(
)
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 1 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, figure 5)
125
0.22
3.5
ns
μ
C
A
PROTECTION
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
lim
Drain Current Limit
V
in
= 7 V
V
DS
= 13 V
6
10
15
A
t
dlim
(
)
Step Response
Current Limit
Overtemperature
Shutdown
Overtemperature Reset
V
in
= 7 V
V
DS
step from 0 to 13 V
12
20
μ
s
T
jsh
(
)
150
o
C
T
jrs
(
)
E
as
(
)
135
o
C
Single Pulse
Avalanche Energy
starting T
j
= 25
o
C
V
in
= 7 V
V
DD
= 24 V
L = 10 mH
R
gen
= 1 K
250
mJ
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Parameters guaranteed by design/characterization
VND10N06/VND10N06-1/VNP10N06FI/VNK10N06FM
3/14
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNP10N06 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
| VNP10N07FI | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
| VNP10N07 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
| VNP14N04 | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
| VNP20N07FI | Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VNP10N06FI-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N07 | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N07-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N07FI | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VNP10N07FI-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
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