參數(shù)資料
型號: VND5025LAK-E
廠商: 意法半導體
英文描述: Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
中文描述: 雙通道模擬汽車應用的電流檢測的高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù): 12/31頁
文件大小: 319K
代理商: VND5025LAK-E
Electrical characteristics
VND5025LAK-E
12/31
Figure 5.
Delay response time between rising edge of ouput current and rising
edge of current sense (CS enabled)
V
IN
I
OUT
I
SENSE
I
OUTMAX
I
SENSEMAX
90% I
SENSEMAX
90% I
OUTMAX
t
DSENSE2H
t
t
t
相關PDF資料
PDF描述
VND5050AJ-E Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND5050J-E Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND5N0713TR ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5N07FI ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5N07FM ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VND5025LAKTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DOUBLE CH HI-SIDE DR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5050AJ-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch Hi Side Driver analog RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5050AJ-E_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND5050AJTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch Hi Side Driver analog RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5050AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch Hi Side Driver analog RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube