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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V826516K04S |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 2.5 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED DDR SDRAM MODULE |
| 中文描述： | 2.5伏特16米x 64高性能無緩沖DDR SDRAM內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | V826516K04S |
8
V826516K04S Rev. 1.1 March 2002
MOSEL VITELIC
V826516K04S
DDR SDRAM Module I
DD
Spec Table
AC Characteristics
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Symbol
B1(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
A1(DDR200@CL=2)
Unit
typical
worst
typical
worst
typical
worst
IDD0
720
760
720
760
640
680
mA
IDD1
1120
1200
1120
1200
1000
1080
mA
IDD2P
168
200
168
200
152
184
mA
IDD2F
320
360
320
360
280
320
mA
IDD2Q
240
280
240
280
216
256
mA
IDD3P
200
240
200
240
160
200
mA
IDD3N
320
360
320
360
240
280
mA
IDD4R
1200
1320
1200
1320
1000
1120
mA
IDD4W
1080
1200
1080
1200
840
960
mA
IDD5
1560
1640
1560
1640
1140
1520
mA
IDD6
Normal
16
16
16
16
16
16
mA
Low power
8
8
8
8
8
8
mA
IDD7
2080
2240
2080
2240
2000
2200
mA
Parameter
Symbol
(PC266A)
(PC266B)
(PC200)
Unit Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time
t
RC
60
-
65
-
70
-
ns
Auto Refresh Row Cycle Time
t
RFC
67
-
75
-
80
-
ns
Row Active Time
t
RAS
45
120K
48
120K
50
120K
ns
Row Address to Column Address Delay
t
RCD
18
-
20
-
20
-
ns
Row Active to Row Active Delay
t
RRD
14
-
15
-
15
-
ns
Column Address to Column Address Delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
CLK
Row Precharge Time
t
RP
18
-
20
-
20
-
ns
Write Recovery Time
t
WR
15
-
15
-
15
-
ns
Last Data-In to Read Command
t
DRL
1
-
1
-
1
-
CLK
Auto Precharge Write Recovery + Precharge
Time
t
DAL
35
-
35
-
35
-
ns
System Clock Cycle Time
CAS Latency = 2.5
t
CK
7
12
7.5
12
8
12
ns
CAS Latency = 2
7.5
12
10
12
10
12
ns
Clock High Level Width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CLK
Clock Low Level Width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CLK
Data-Out edge to Clock edge Skew
t
AC
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V826532K04S | 2.5 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED DDR SDRAM MODULE |
| V82658B04S | 64 MB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM 2.5 VOLT 8M x 64 |
| V82658J04S | 2.5 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED DDR SDRAM MODULE |
| V826632B24S | 256 MB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM 2.5 VOLT 32M x 64 |
| V826632G24S | 256 MB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM 2.5 VOLT 32M x 64 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V826532K04S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2.5 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED DDR SDRAM MODULE |
| V82658B04S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 MB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM 2.5 VOLT 8M x 64 |
| V82658J04S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2.5 VOLT 8M x 64 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED DDR SDRAM MODULE |
| V826632B24S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256 MB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM 2.5 VOLT 32M x 64 |
| V826632G24S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:256 MB 200-PIN DDR UNBUFFERED SODIMM 2.5 VOLT 32M x 64 |
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