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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V55C1256164MGLI-75H |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, GREEN, PLASTIC, TSSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/48頁(yè) |
| 文件大小： | 634K |
| 代理商： | V55C1256164MGLI-75H |
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20
V55C1256164MG Rev. 1.0 September 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V55C1256164MG
3. Read Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
4.1 Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
COMMAND
READ A
READ B
NOP
t
CK2, I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3, I/O’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
COMMAND
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
DQM
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
Must be Hi-Z before
the Write Command
I/O’s
Minimum delay between the Read and Write Commands = 4+1 = 5 cycles
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V55C3256164VBLG10IPC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V55C3256164VBLG8 | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V55C3256164VBUC8PC | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V55C3256164VBUG10E | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V585ME06 | VCO, 1000 MHz - 2000 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V55C2128164V | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
| V55C2128164VB | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
| V55C2128164VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
| V55C2256164VB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16 |
| V55HD | 制造商:Bugera 功能描述:55 WATT GUITAR AMPLIFIER 2 CHANNEL TUBE HEAD |
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