- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄300082 > V54C3128164VB6 (MOSEL-VITELIC) 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | V54C3128164VB6 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 43/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 871K |
| 代理商： | V54C3128164VB6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當(dāng)前第43頁第44頁第45頁
7
V54C3128(16/80/40)4V(BGA) Rev. 1.2 September 2001
MOSEL VITELIC
V54C3128(16/80/40)4V(BGA)
Operation Definition
All of SDRAM operations are defined by states of control signals CS,RAS,CAS,WE,and DQM atthe
positive edge of the clock. The following list shows the thruth table for the operation commands.
Notes:
1.
V = Valid , x = Don’t Care, L = Low Level, H = High Level
2.
CKEn signal is input level when commands are provided, CKEn-1 signal is input level one clock before the commands
are provided.
3.
These are state of bank designated by BS0, BS1 signals.
4.
Power Down Mode can not entry in the burst cycle.
Operation
Device
State
CKE
n-1
CKE
nCS
RAS
CAS
WE
DQM
A0-9,
A11
A10
BS0
BS1
Row Activate
Idle3
HX
L
H
X
V
Read
Active3
H
X
L
H
L
H
XVL
V
Read w/Autoprecharge
Active
3
HX
L
H
L
H
X
V
H
V
Write
Active
3
H
X
L
H
L
XVL
V
Write with Autoprecharge
Active3
HX
L
H
L
X
V
H
V
Row Precharge
Any
H
X
L
H
L
XXL
V
Precharge All
Any
H
X
L
H
L
X
H
X
Mode Register Set
Idle
H
X
LLL
LX
V
No Operation
Any
H
X
L
H
X
Device Deselect
Any
H
X
H
X
Auto Refresh
Idle
H
L
H
X
Self Refresh Entry
Idle
H
L
H
X
Self Refresh Exit
Idle
(Self Refr.)
L
H
HX
X
XX
X
L
HHX
Power Down Entry
Idle
Active
4
HL
HX
X
XX
X
L
HHX
Power Down Exit
Any
(Power
Down)
LH
HX
X
XX
X
LH
H
L
Data Write/Output Enable
Active
H
X
L
X
Data Write/Output Disable
Active
H
X
H
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256404VDLJ8PC | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C328404VCT8 | x4 SDRAM |
| V54C328804VCT7 | x8 SDRAM |
| V54C328804VCT8 | x8 SDRAM |
| V54C365164VEF6 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
| V54C3128164VBI7 | 制造商:PROMOS 功能描述: 制造商:ProMOS Technologies Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128164VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。