- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄300082 > V54C3128164VB6 (MOSEL-VITELIC) 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3128164VB6 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 13/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 871K |
| 代理商： | V54C3128164VB6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
20
V54C3128(16/80/40)4V(BGA) Rev. 1.2 September 2001
MOSEL VITELIC
V54C3128(16/80/40)4V(BGA)
5. Burst Write Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
6.1 Write Interrupted by a Write
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Extra data is ignored after
The first data element and the Write
are registered on the same clock edge.
termination of a Burst.
don’t care
COMMAND
NOP
WRITE A
WRITE B
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
NOP
DIN B3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
1 Clk Interval
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256404VDLJ8PC | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C328404VCT8 | x4 SDRAM |
| V54C328804VCT7 | x8 SDRAM |
| V54C328804VCT8 | x8 SDRAM |
| V54C365164VEF6 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
| V54C3128164VBI7 | 制造商:PROMOS 功能描述: 制造商:ProMOS Technologies Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128164VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。