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參數(shù)資料
| 型號： | V29C51000T-90P |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 為512k位65536 × 8位5伏的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | V29C51000T-90P |
MOSEL V ITELIC
V29C51000T/V29C51000B
7
V29C51000T/V29C51000B Rev. 0.5 October 2000
Waveforms of CE Controlled-Program Cycle
Waveforms of Erase Cycle
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
SA: The sector address for Sector Erase. Address = don
’
t care for Chip Erase.
t
WC
t
AS
t
WHWH1
t
WPH
t
OES
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O7
PD
(2)
A0H
51000-09
ADDRESS
5555H
PA
PA
(1)
WE
OE
CE
I/O
t
WC
t
AS
t
WPH
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
5555H
5555H
5555H
2AAAH
2AAAH
SA
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
10H for
Chip Erase
51000-10
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
CS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V29C51001B | 1 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(1M位5V CMOS閃速存儲器) |
| V29C51002B-55J | 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51002B | High Speed 2 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速2M位5V CMOS閃速存儲器) |
| V29C51004B-70J | x8 Flash EEPROM |
| V29C51004B-70T | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V29C51000T-90T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51001B | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51001B-45J | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51001B-45P | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51001B-45T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
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