參數(shù)資料
型號(hào)： V29C51000B
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： 512K Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(512K位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 為512k位5伏的CMOS閃存（為512k位5V的CMOS閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： V29C51000B
MOSEL V ITELIC
V29C51000T/V29C51000B
7
V29C51000T/V29C51000B Rev. 0.2 February 1999
Waveforms of CE Controlled-Program Cycle
Waveforms of Erase Cycle
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
SA: The sector address for Sector Erase. Address = don’t care for Chip Erase.
t
WC
t
AS
t
WHWH1
t
WPH
t
OES
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O7
PD
(2)
A0H
51000-09
ADDRESS
5555H
PA
PA
(1)
WE
OE
CE
I/O
t
WC
t
AS
t
WPH
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
5555H
5555H
5555H
2AAAH
2AAAH
SA
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
10H for
Chip Erase
51000-10
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
CS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V29C51000T-90P 512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51001B 1 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(1M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
V29C51002B-55J 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51002B High Speed 2 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速2M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
V29C51004B-70J x8 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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V29C51000B-70P 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
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