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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V29C31001B-70P |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1兆131072 × 8位5伏的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | V29C31001B-70P |
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MOSEL V ITELIC
V29C51001T/V29C51001B
7
V29C51001T/V29C51001B Rev. 0.8 October 2000
Waveforms of CE Controlled-Program Cycle
Waveforms of Erase Cycle
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
SA: The sector address for Sector Erase. Address = don
’
t care for Chip Erase.
t
WC
t
AS
t
WHWH1
t
WPH
t
OES
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O7
PD
(2)
A0H
51001-09
ADDRESS
5555H
PA
PA
(1)
WE
OE
CE
I/O
t
WC
t
AS
t
WPH
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
5555H
5555H
5555H
2AAAH
2AAAH
SA
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
10H for
Chip Erase
51001-10
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
CS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| V29C31001B-90T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
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