型號(hào): | UPA810T-A |
廠商: | California Eastern Laboratories |
英文描述: | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
中文描述: | NPN硅高頻晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/3頁(yè) |
文件大小: | 207K |
代理商: | UPA810T-A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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UPA810T-T1 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA810T-T1-A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA814T | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA814T-T1-A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA821TF | NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UPA810TC | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
UPA810TC-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin Case TC T/R |
UPA810TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
UPA810TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:BJT |
UPA810T-T1 | 功能描述:TRANS NPN HF FT=4.5GHZ SOT-363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |