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參數(shù)資料
| 型號： | UPA801T-T1-A |
| 廠商： | California Eastern Laboratories |
| 英文描述： | NPN SILICON HIGH FREQUENCY |
| 中文描述： | NPN硅高頻 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | UPA801T-T1-A |
UPA801T
UNITS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
Units
seconds
farads
henries
ohms
voltage
volts
current
amps
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 3.0 GHz
V
CE
= 1 V to 5 V, I
C
= 1 mA to 10 mA
12/98
Note:
This nonlinear model utilized the latest data available.
See our Design Parameter Library at
www.cel.com
for this data.
NONLINEAR MODEL
(1) Gummel-Poon Model
Parameters
Q1, Q2
Parameters
Q1, Q2
IS
6e-16
MJC
0.55
BF
120
XCJC
0.3
NF
0.98
CJS
0
VAF
10
VJS
0.75
IKF
0.08
MJS
0
ISE
32e-16
FC
0.5
NE
1.93
TF
12e-12
BR
12
XTF
6
NR
0.991
VTF
10
VAR
3.9
ITF
0.2
IKR
0.17
PTF
0
ISC
0
TR
1e-9
NC
2
EG
1.11
RE
0.38
XTB
0
RB
4.16
XTI
3
RBM
3.6
KF
1.56e-18
IRB
1.96e-4
AF
1.49
RC
2
CJE
2.8e-12
VJE
1.3
MJE
0.5
CJC
1.1e-12
VJC
0.7
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA861TD | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA861TD-T3 | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD-T3 | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPA895TD | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| UPB1510 | 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA802T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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| UPA802T-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA802TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA802TCT1 | 制造商:NEC/CEL 功能描述:New |
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