參數(shù)資料
型號(hào)： UPA801T-T1-A
廠商： California Eastern Laboratories
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY
中文描述： NPN硅高頻
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 177K
代理商： UPA801T-T1-A
Note: 1. Operation in excess of any one of these parameters may
result in permanent damage.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
20
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
12
V
EBO
Emitter to Base Voltage
V
3
I
C
Collector Current
mA
100
P
T
Total Power Dissipation
1 Die
2 Die
mW
mW
110
200
T
J
Junction Temperature
°
C
150
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
UPA801T
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
T
T
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
200
100
0
50
100
150
2EemensinTta
Pe Eemen
20
0.5
1.0
10
0
V
CE
= 3 V
25
20
15
10
5
0
5
10
l
B
=160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
D
F
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
200
100
50
20
10
0.5
1
5
10
50
V
CE
= 3 V
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PDF描述
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UPA802TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA802TCT1 制造商:NEC/CEL 功能描述:New
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