參數(shù)資料
型號(hào)： UPA679TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N / P系列溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： UPA679TB
Data Sheet G16615EJ1V0DS
7
μ
PA679TB
(2) P-ch PART (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
d
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
P
T
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.24
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on FR-4 board of
2500 mm
2
x 1.1 mm
2 units total
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1
0
- 0.4
- 0.8
- 1.2
- 1.6
- 2
Pulsed
2.5 V
V
GS
=
4.5 V
4.0 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
-0.0001
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
0
- 1
- 2
- 3
- 4
V
DS
=
10.0 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs. CHANNEL
TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
- 0.6
- 0.8
- 1
- 1.2
- 1.4
- 1.6
-50
0
50
100
150
V
DS
=
10.0 V
I
D
=
1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
- 0.001
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
T
A
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
V
DS
=
10.0 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
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PDF描述
UPA801T NPN SILICON HIGH FREQUENCY
UPA801T-T1-A NPN SILICON HIGH FREQUENCY
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