參數資料
型號： UPA679TB
廠商： NEC Corp.
英文描述： N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N / P系列溝道MOS場效應晶體管開關
文件頁數： 5/10頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： UPA679TB
Data Sheet G16615EJ1V0DS
5
μ
PA679TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
- 50
0
50
100
150
Pulsed
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 0.15 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.30 A
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 0.30 A
T
ch
- Channel Temperature - °C
R
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
I
D
= 0.30 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
10
V
GS
= 4.5 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
10
V
GS
= 4.0 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE
VOLTAGE
R
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
10
25
°
C
25
°
C
T
A
= 125
°
C
75
°
C
V
GS
= 2.5 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
C
i
,
o
,
r
1
10
100
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
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