參數(shù)資料
型號: UPA607
廠商: NEC Corp.
英文描述: P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
中文描述: P溝道MOS場效應管6引腳2體電路開關
文件頁數(shù): 5/6頁
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代理商: UPA607
μ
PA607T
5
REFERENCE
Document Name
Document No.
NEC semiconductor device reliability/quality control system
TEI-1202
Quality grade on NEC semiconductor devices
IEI-1209
Semiconductor device mounting technology manual
C10535E
Guide to quality assurance for semiconductor devices
MEI-1202
Semiconductor selection guide
X10679E
相關PDF資料
PDF描述
UPA607T P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA679TB N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA801T NPN SILICON HIGH FREQUENCY
UPA801T-T1-A NPN SILICON HIGH FREQUENCY
UPA861TD NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
UPA607T 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA607T-T1-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA607T-T2-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA608T(T1-A) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SC-74 T/R
UPA609T-T1(A) 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 6-Pin SC-74 T/R