參數(shù)資料
型號(hào)： UPA607
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管6引腳2體電路開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： UPA607
μ
PA607T
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Cut-off Current
I
DSS
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
–
–
–1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
= +16 V, V
DS
= 0
–
–
+1.0
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= –5.0 V, I
D
= –1.0
μ
A
–1.5
–1.9
–2.5
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= –5.0 V, I
D
= –10 mA
15
–
–
mS
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= –4.0 V, I
D
= –10 mA
–
60
100
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)2
V
GS
= –10 V, I
D
= –10 mA
–
40
60
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= –5.0 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz
–
15
–
pF
Output Capacitance
C
oss
–
10
–
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
–
1
–
pF
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
GS(on)
= –5.0 V, R
G
= 10
,
V
DD
= –5.0 V, I
D
= –10 mA, R
L
= 500
–
45
–
ns
Rise Time
t
r
–
75
–
ns
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
–
25
–
ns
Fall Time
t
f
–
80
–
ns
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS
DUT
PG.
R
G
V
GS
τ
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1 %
0
R
L
V
DD
V
GS
I
D
V
GS(ON)
10 %
90 %
10 %
I
D
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Gate
voltage
waveform
Drain
current
waveform
90 %
10 %
90 %
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA607T P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA679TB N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA801T NPN SILICON HIGH FREQUENCY
UPA801T-T1-A NPN SILICON HIGH FREQUENCY
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