參數(shù)資料
型號(hào)： UPA606T
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管6引腳2體電路開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： UPA606T
μ
PA606T
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
D
I
D
- Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. CHANNEL TEMPERATURE
R
D
T
ch
- Channel Temperature - C
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
d
,
f
I
D
- Drain Current - mA
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
30
1
100
3
10
30
100
1
10
3
I
= 10 mA
Pulsed
measurement
300
10
1 000
30
100
300
1 000
10
100
30
V
= 10 V
Pulsed
measurement
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
20
–30
150
0
60
120
30
90
30
0
10
V
= 10 V
Pulsed
measurement
10
0.1
100
1
10
100
0.1
1
V
GS
= 0
f = 1 MHz
C
oss
C
iss
C
rss
50
10
100
20
50
100
20
10
V
DD
= 5 V
V
GS
= 5 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
10
0.4
1.0
0.5
0.7
0.9
0.6
0.8
100
1
V
= 0
Pulsed
measurement
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
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參數(shù)描述
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