參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2713GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 開(kāi)關(guān)的P -溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： UPA2713GR
Data Sheet G15981EJ1V0DS
2
μ
PA2713GR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C, All terminals are connected.)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
30 V, V
GS
= 0 V
1
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
m
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10 V, I
D
=
1 mA
m
100
2.5
nA
Gate Cut-off Voltage
Note
V
GS(off)
1.0
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y
fs
|
V
DS
=
10 V, I
D
=
4.0 A
6
14
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R
DS(on)1
V
GS
=
10 V, I
D
=
4.0 A
12
16
m
R
DS(on)2
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
4.0 A
17
25
m
R
DS(on)3
V
GS
=
4.0 V, I
D
=
4.0 A
20
30
m
Input Capacitance
C
iss
V
DS
=
10 V
1600
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
450
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1 MHz
270
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
=
15 V, I
D
=
4.0 A
9
ns
Rise Time
t
r
V
GS
=
10 V
15
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
83
ns
Fall Time
t
f
43
ns
Total Gate Charge
Q
G
V
DD
=
24 V
35
nC
Gate to Source Charge
Q
GS
V
GS
=
10 V
4.8
nC
Gate to Drain Charge
Q
GD
I
D
= 8 A
10
nC
Body Diode Forward Voltage
V
F(S-D)
I
F
= 8 A, V
GS
= 0 V
0.81
V
Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 8 A, V
GS
= 0 V
43
ns
Reverse Recovery Charge
Q
rr
di/dt = 100 A/
μ
s
29
nC
Note
Pulsed: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
V
GS
=
20
→
0 V
PG.
R
G
= 25
50
D.U.T.
L
V
DD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
R
L
V
DD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
R
G
PG.
I
G
=
2 mA
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
AS
V
DS
BV
DSS
Starting T
ch
V
GS(
)
0
= 1 s
Duty Cycle
≤
1%
τ
τ
GS
Wave Form
V
DS
Wave Form
V
GS(
)
V
DS(
)
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
10%
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PDF描述
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