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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA2712GR |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)的P -溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | UPA2712GR |
Data Sheet G15980EJ2V0DS
5
μ
PA2712GR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
5
10
15
20
25
30
-50
0
50
100
150
V
GS
=
4.0 V
10 V
4.5 V
I
D
=
5.0 A
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
- 100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
oss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
- 0.1
- 1
- 10
- 100
V
DD
=
15 V
V
GS
=
10 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
I
D
- Drain Current - A
V
D
0
- 10
- 20
- 30
0
10
20
30
40
50
0
- 5
- 10
- 15
V
DS
V
GS
V
DD
=
24 V
15 V
6 V
Q
G
- Gate Charge - nC
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Pulsed
V
GS
=
10 V
0 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
t
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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