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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA1723 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | UPA1723 |
Data Sheet G14026EJ1V0DS00
4
μ
PA1723
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
|
V
DS
=10 V
Pulsed
1
1
10
100
10
100
0.1
T
C
= 125C
0.1
T
C
= 75C
T
C
= 25C
T
C
= -25C
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
F
0.0
1 000
100
10
1
0.1
0.4
1.0
1.2
Pulsed
0.2
0.6
0.8
1.4
V
GS
= 4.0 V
V
GS
= 0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
100
1 000
10 000
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
100 000
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
10 000
1 000
100
10
1
1
10
100
V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 10
t
r
t
f
t
d(off)
t
d(on)
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
t
r
1
0.1
10
1
10
100
1 000
100
di/dt = 100A/
V
GS
= 0 V
s
μ
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
30
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
10
20
30
40
60
50
25
20
15
10
5
0
V
GS
V
DS
V
= 16 V
10 V
4 V
I
D
= 10 A
12
10
8
6
4
2
0
Remark
Mounted on ceramic substrate of 1200 mm
2
x 2.2
mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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